onsemi 512 kB EEPROM, Seriell-I2C Interface, UDFN, 400 ns Oberfläche 6k x 8 Bit, 65536 x 8-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 201-3390
- Herst. Teile-Nr.:
- CAT24C512HU5IGT3
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Speicher Größe | 512kB | |
| Produkt Typ | EEPROM | |
| Schnittstellentyp | Seriell-I2C | |
| Gehäusegröße | UDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Organisation | 6k x 8 Bit | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.8V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2mm | |
| Breite | 3 mm | |
| Datenspeicherung | 100year | |
| Versorgungsstrom | 2.5mA | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Zugriffszeit max. | 400ns | |
| Anzahl der Wörter | 65536 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Speicher Größe 512kB | ||
Produkt Typ EEPROM | ||
Schnittstellentyp Seriell-I2C | ||
Gehäusegröße UDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Organisation 6k x 8 Bit | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.8V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2mm | ||
Breite 3 mm | ||
Datenspeicherung 100year | ||
Versorgungsstrom 2.5mA | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Zugriffszeit max. 400ns | ||
Anzahl der Wörter 65536 | ||
Der serielle on Semiconductor EEPROM 512-KB-Speicher verwendet eine I2C-Schnittstelle, die intern als 65.536 Wörter mit jeweils 8 Bit organisiert ist. Es unterstützt das Standard- (100 kHz), Fast- (400 kHz) und Fast-plus- (1 MHz) I2C-Protokoll. Er verfügt über eine CMOS-Technologie mit geringer Leistungsaufnahme.
Hardware-Schreibschutz für gesamten Speicher
1.000.000 Programm-/Löschzyklen
Sie verfügt über eine Datenspeicherung von 100 Jahren
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