STMicroelectronics M95512-WMN6TP 512 kB EEPROM, Seriell-SPI Interface, SO-8, 40 ns Oberfläche 65536 x 8 bit, 65536 x

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RS Best.-Nr.:
196-1992
Herst. Teile-Nr.:
M95512-WMN6TP
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

EEPROM

Speicher Größe

512kB

Schnittstellentyp

Seriell-SPI

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Taktfrequenz max.

16MHz

Organisation

65536 x 8 bit

Minimale Versorgungsspannung

2.5V

Maximale Versorgungsspannung

5.5V

Anzahl der Bits pro Wort

8

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Normen/Zulassungen

RoHS 2011/65/EU

Serie

M95512

Breite

150 mm

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Automobilstandard

AEC-Q100

Zugriffszeit max.

40ns

Versorgungsstrom

5mA

Anzahl der Wörter

65536

Datenspeicherung

200year

Ursprungsland:
CN
Die M95512-Geräte sind elektrisch löschbare programmierbare Speicher (EEPROMs), organisiert als 65536 x 8 Bit, auf die über den SPI-Bus zugegriffen wird.

Der M95512-W kann mit einer Versorgungsspannung von 2,5 V bis 5,5 V betrieben werden, der M95512-R kann mit einer Versorgungsspannung von 1,8 V bis 5,5 V und der M95512-DF mit einer Versorgungsspannung von 1,7 V bis 5,5 V betrieben werden, Über einen Umgebungstemperaturbereich von -40 °C / +85 °C.

Kompatibel mit dem SPI-Schnittstellenbus (Serial Peripheral Interface)

Speicherarray

512 Kbit (64 KByte) EEPROM

Seitengröße: 128 Byte

Schreiben.

Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms

Seitenschreiben innerhalb von 5 ms

Zusätzliche schreibbare verschließbare Seite (Identifikationsseite)

Schreibschutz: Viertel-, Halb- oder Ganzspeicher-Array

Hochgeschwindigkeitsuhr: 16 MHz

Einfache Versorgungsspannung:

2,5 V bis 5,5 V für M95512-W

1,8 V bis 5,5 V für M95512-R.

1,7 V bis 5,5 V für M95512-DF

Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +85 °C

Verbesserter EMV-Schutz

Mehr als 4 Million Schreibzyklen

Mehr als 20 Jahre Datenspeicherung

Gehäuse:

SO8

TSSOP8

UFDFPN8

WLCSP

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