STMicroelectronics 32kbit EEPROM-Chip, Seriell-I2C Interface, UFDFPN, 450ns SMD 4 K x 8, 4 K x 8-Pin 8bit
- RS Best.-Nr.:
- 190-7664
- Herst. Teile-Nr.:
- M24C32-FMC6TG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- M24C32-FMC6TG
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Speicher Größe | 32kbit | |
| Interface-Typ | Seriell-I2C | |
| Gehäusegröße | UFDFPN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Organisation | 4 K x 8 | |
| Arbeitsspannnung min. | 1,7 V | |
| Arbeitsspannnung max. | 5,5 V | |
| Programmierspannung | 1.7 → 5.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Abmessungen | 2.1 x 3.1 x 0.55mm | |
| Datenerhalt | 200Jahr | |
| Zugriffszeit max. | 450ns | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Wörter | 4 K | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Speicher Größe 32kbit | ||
Interface-Typ Seriell-I2C | ||
Gehäusegröße UFDFPN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Organisation 4 K x 8 | ||
Arbeitsspannnung min. 1,7 V | ||
Arbeitsspannnung max. 5,5 V | ||
Programmierspannung 1.7 → 5.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Abmessungen 2.1 x 3.1 x 0.55mm | ||
Datenerhalt 200Jahr | ||
Zugriffszeit max. 450ns | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Wörter 4 K | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Kompatibel mit allen I2C-Busmodi:
1 MHz
400 kHz
100 kHz
Speicherarray:
32 Kbit (4 KByte) EEPROM
Seitengröße: 32 Byte
Zusätzliche abschließbare Schreibseite
Einfache Versorgungsspannung:
1,7 V bis 5,5 V über -40 °C / +85 °C.
1,6 V bis 5,5 V über -20 °C / +85 °C.
Schreiben:
Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms
Schreiben von Seiten innerhalb von 5 ms
Zufällige und sequenzielle Lesemodi
Schreibschutz des gesamten Speicherarrays
Verbesserter ESD-/Latch-Up-Schutz
Mehr als 4 Million Schreibzyklen
Mehr als 200 Jahre Datenspeicherung
Gehäuse
PDIP8
SO8
TSSOP8
UFDFPN8
WLCSP
UFDFPN5
Unsawn Wafer (jede Matrize wird getestet)
1 MHz
400 kHz
100 kHz
Speicherarray:
32 Kbit (4 KByte) EEPROM
Seitengröße: 32 Byte
Zusätzliche abschließbare Schreibseite
Einfache Versorgungsspannung:
1,7 V bis 5,5 V über -40 °C / +85 °C.
1,6 V bis 5,5 V über -20 °C / +85 °C.
Schreiben:
Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms
Schreiben von Seiten innerhalb von 5 ms
Zufällige und sequenzielle Lesemodi
Schreibschutz des gesamten Speicherarrays
Verbesserter ESD-/Latch-Up-Schutz
Mehr als 4 Million Schreibzyklen
Mehr als 200 Jahre Datenspeicherung
Gehäuse
PDIP8
SO8
TSSOP8
UFDFPN8
WLCSP
UFDFPN5
Unsawn Wafer (jede Matrize wird getestet)
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