STMicroelectronics M24C08-RMC6TG 8 kB EEPROM, Seriell-I2C Interface, UFDFPN, 900 ns Oberfläche 1K x 8 bit 8-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 190-7626
- Herst. Teile-Nr.:
- M24C08-RMC6TG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Speicher Größe | 8kB | |
| Produkt Typ | EEPROM | |
| Schnittstellentyp | Seriell-I2C | |
| Gehäusegröße | UFDFPN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Taktfrequenz max. | 400kHz | |
| Organisation | 1K x 8 bit | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.8V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.1 mm | |
| Länge | 2.1mm | |
| Datenspeicherung | 200year | |
| Zugriffszeit max. | 900ns | |
| Versorgungsstrom | 1mA | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Speicher Größe 8kB | ||
Produkt Typ EEPROM | ||
Schnittstellentyp Seriell-I2C | ||
Gehäusegröße UFDFPN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Taktfrequenz max. 400kHz | ||
Organisation 1K x 8 bit | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.8V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.1 mm | ||
Länge 2.1mm | ||
Datenspeicherung 200year | ||
Zugriffszeit max. 900ns | ||
Versorgungsstrom 1mA | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Kompatibel mit I2C-Bus-Modi:
400 kHz
100 kHz
Speicherarray:
8 Kbit (1 KByte) EEPROM
Seitengröße: 16 Byte
Einfache Versorgungsspannung:
M24C08-W: 2,5 V bis 5,5 V
M24C08-R: 1,8 V bis 5,5 V.
M24C08-F: 1,7 V bis 5,5 V (voller Temperaturbereich) und 1,6 V bis 1,7 V (begrenzter Temperaturbereich)
Schreiben:
Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms
Schreiben von Seiten innerhalb von 5 ms
Betriebstemperatur:
Von -40 °C bis +85 °C.
Zufällige und sequenzielle Lesemodi
Schreibschutz des gesamten Speicherarrays
Verbesserter ESD-/Latch-Up-Schutz
Mehr als 4 Million Schreibzyklen
Mehr als 200 Jahre Datenspeicherung
Gehäuse
Halogenfrei
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