STMicroelectronics 512 kB EEPROM, Seriell-I2C Interface, WLCSP, 500 ns Oberfläche 64K x 8 bit, 64K x 8-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 190-7587
- Herst. Teile-Nr.:
- M24512-DFCS6TP/K
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | EEPROM | |
| Speicher Größe | 512kB | |
| Schnittstellentyp | Seriell-I2C | |
| Gehäusegröße | WLCSP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Organisation | 64K x 8 bit | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.7V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2011/65/EU | |
| Höhe | 0.58mm | |
| Länge | 1.3mm | |
| Breite | 1.9mm | |
| Serie | M24512-DF | |
| Zugriffszeit max. | 500ns | |
| Datenspeicherung | 200Jahr | |
| Versorgungsstrom | 2.5mA | |
| Anzahl der Wörter | 64K | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ EEPROM | ||
Speicher Größe 512kB | ||
Schnittstellentyp Seriell-I2C | ||
Gehäusegröße WLCSP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Organisation 64K x 8 bit | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.7V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2011/65/EU | ||
Höhe 0.58mm | ||
Länge 1.3mm | ||
Breite 1.9mm | ||
Serie M24512-DF | ||
Zugriffszeit max. 500ns | ||
Datenspeicherung 200Jahr | ||
Versorgungsstrom 2.5mA | ||
Anzahl der Wörter 64K | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Kompatibel mit allen I2C-Busmodi:
1 MHz
400 kHz
100 kHz
Speicherarray:
512 Kbit (64 KByte) EEPROM
Seitengröße: 128 Byte
Zusätzliche abschließbare Schreibseite
Einfache Versorgungsspannung und hohe Geschwindigkeit:
1-MHz-Takt von 1,7 V bis 5,5 V.
Schreiben:
Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms
Schreiben von Seiten innerhalb von 5 ms
Betriebstemperatur:
Von -40 °C bis +85 °C.
Zufällige und sequenzielle Lesemodi
Schreibschutz des gesamten Speicherarrays
Verbesserter ESD-/Latch-Up-Schutz
Mehr als 4 Million Schreibzyklen
Mehr als 200 Jahre Datenspeicherung
Gehäuse
SO8
TSSOP8
UFDFPN8
WLCSP
Unsawn Wafer (jede Matrize wird getestet)
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