STMicroelectronics 64 kB EEPROM, Seriell-I2C Interface, WLCSP, 450 ns Oberfläche 8K x 8 bit, 8K x 5-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 190-6767
- Herst. Teile-Nr.:
- M24C64-FCS6TP/K
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
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- M24C64-FCS6TP/K
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Speicher Größe | 64kB | |
| Produkt Typ | EEPROM | |
| Schnittstellentyp | Seriell-I2C | |
| Gehäusegröße | WLCSP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Organisation | 8K x 8 bit | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.7V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 1.07mm | |
| Höhe | 0.64mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2011/65/EU | |
| Serie | M24C64-F | |
| Breite | 1.16 mm | |
| Versorgungsstrom | 2.5mA | |
| Datenspeicherung | 200year | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Anzahl der Wörter | 8K | |
| Zugriffszeit max. | 450ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Speicher Größe 64kB | ||
Produkt Typ EEPROM | ||
Schnittstellentyp Seriell-I2C | ||
Gehäusegröße WLCSP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Organisation 8K x 8 bit | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.7V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 1.07mm | ||
Höhe 0.64mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2011/65/EU | ||
Serie M24C64-F | ||
Breite 1.16 mm | ||
Versorgungsstrom 2.5mA | ||
Datenspeicherung 200year | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Anzahl der Wörter 8K | ||
Zugriffszeit max. 450ns | ||
Kompatibel mit allen I2C-Busmodi:
1 MHz
400 kHz
100 kHz
Speicherarray:
64 Kbit (8 KByte) EEPROM
Seitengröße: 32 Byte
Zusätzliche abschließbare Schreibseite
Einfache Versorgungsspannung:
1,7 V bis 5,5 V über -40 °C / +85 °C.
1,6 V bis 5,5 V über 0 °C / +85 °C.
Schreiben:
Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms
Schreiben von Seiten innerhalb von 5 ms
Zufällige und sequenzielle Lesemodi
Schreibschutz des gesamten Speicherarrays
Verbesserter ESD-/Latch-Up-Schutz
Mehr als 4 Million Schreibzyklen
Mehr als 200 Jahre Datenspeicherung
Gehäuse
PDIP8
SO8
TSSOP8
UFDFPN
WLCSP
Unsawn Wafer (jede Matrize wird getestet)
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