STMicroelectronics M24512E-FMN6TP 512 kB EEPROM, I2C Interface, SO-8N, 450 ns Oberfläche 64k x 8 Bit 8-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 151-727
- Herst. Teile-Nr.:
- M24512E-FMN6TP
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Speicher Größe | 512kB | |
| Produkt Typ | EEPROM | |
| Schnittstellentyp | I2C | |
| Gehäusegröße | SO-8N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Organisation | 64k x 8 Bit | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.65V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | M24256E-F | |
| Versorgungsstrom | 1mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Zugriffszeit max. | 450ns | |
| Datenspeicherung | 200year | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Speicher Größe 512kB | ||
Produkt Typ EEPROM | ||
Schnittstellentyp I2C | ||
Gehäusegröße SO-8N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Organisation 64k x 8 Bit | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.65V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie M24256E-F | ||
Versorgungsstrom 1mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Zugriffszeit max. 450ns | ||
Datenspeicherung 200year | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der STMicroelectronics M24512E-F ist ein 512-Kbit I²C-kompatibler EEPROM (elektrisch löschbarer programmierbarer Speicher), der als 64 K x 8 Bit organisiert ist. Er kann mit einer Versorgungsspannung von 1,6 V bis 5,5 V und einer Taktfrequenz von bis zu 1 MHz betrieben werden. Er verfügt über drei 8-Bit-Register, nämlich das DTI-Register (Device Type Identifier), das CDA-Register (Configurationable Device Address) und das SWP-Register (Software Write Protection).
Byte und Schreiben von Seiten innerhalb von 4 MS (typisch 3,1 MS)
Verbesserte ESD- oder Verriegelungsschutz
Mehr als 4 Millionen Schreibzyklen
Konfigurierbares Geräte-Adressregister
Gerätetyp-Kennzeichnungsregister (nur lesbar)
Vorprogrammierte Geräteadresse
Software-Schreibschutzregister
Hardware-Schreibschutz für den gesamten Speicherbereich
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