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Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	Darlington-Transistor
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	8A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	100V
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	DC-Stromverstärkung min. hFE	100
	Maximale Verlustleistung Pd	75W
	Emitter-Basisspannung max. VEBO	5V
	Polarität des Transistors	NPN
	Kollektor-Basis Spannung max. VCBO	100V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2V
	Betriebstemperatur min.	-65°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	4.82mm
	Länge	15.75mm
	Normen/Zulassungen	No
	Serie	2N6045
	Kollektor-Sperrstrom max.	20μA
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ Darlington-Transistor
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 8A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 100V
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	DC-Stromverstärkung min. hFE 100
	Maximale Verlustleistung Pd 75W
	Emitter-Basisspannung max. VEBO 5V
	Polarität des Transistors NPN
	Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 100V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V
	Betriebstemperatur min. -65°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 4.82mm
	Länge 15.75mm
	Normen/Zulassungen No
	Serie 2N6045
	Kollektor-Sperrstrom max. 20μA
	Automobilstandard Nein

Die on Semiconductor 2N6045 ist eine ergänzende Silizium-Transistor aus Kunststoff mit mittlerer Leistung, die für allgemeine Verstärker- und Niederspannungs-Schaltanwendungen entwickelt wurde. Die Gehäusegröße des Darlington ist der TO-220

Monolithische Bauweise mit integrierten Basis-Emitter-Shunt-Widerständen

Diese Geräte sind bleifrei und RoHS-konform

onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 8 A NPN HFE:100, TO-220 3-Pin