STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 100 V 16 A HFE:100, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 686-8130P
Herst. Teile-Nr.:: MJD122T4
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 100 V 16 A HFE:100, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

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Herst. Teile-Nr.:: MJD122T4
Hersteller:: STMicroelectronics

MJD122 MJD127 Complementary power Darlington transistors Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	16 A
Kollektor-Emitter-Spannung	100 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	100
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	4,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	4 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	0.01mA
Betriebstemperatur min.	-65 °C
Höhe	2.4mm
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Abmessungen	6.6 x 6.2 x 2.4mm
Breite	6.2mm

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NPN-Darlington-Transistoren, STMicroelectronics

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