onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 1,2 A HFE:4000, SOT-23 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 671-1125P
- Herst. Teile-Nr.:
- BCV27
- Hersteller:
- onsemi
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Typ | NPN | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 1,2 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 30 V | |
| Basis-Emitter Spannung max. | 10 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gleichstromverstärkung min. | 4000 | |
| Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. | 1,5 V | |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 40 V | |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 1 V | |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 0.0001mA | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2.92mm | |
| Höhe | 0.93mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 1.3mm | |
| Abmessungen | 2.92 x 1.3 x 0.93mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Typ NPN | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 1,2 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 30 V | ||
Basis-Emitter Spannung max. 10 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gleichstromverstärkung min. 4000 | ||
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. 1,5 V | ||
Kollektor-Basis-Spannung max. 40 V | ||
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. 1 V | ||
Kollektor-Abschaltstrom max. 0.0001mA | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2.92mm | ||
Höhe 0.93mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 1.3mm | ||
Abmessungen 2.92 x 1.3 x 0.93mm | ||
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