onsemi PNP Darlington-Transistor 100 V 5 A HFE:1000, TO-220AB 3-Pin Einfach

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RS Best.-Nr.:
545-2361
Herst. Teile-Nr.:
TIP127G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Transistor-Typ

PNP

Dauer-Kollektorstrom max.

5 A

Kollektor-Emitter-Spannung

100 V

Basis-Emitter Spannung max.

5 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gleichstromverstärkung min.

1000

Kollektor-Basis-Spannung max.

100 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.

4 V

Kollektor-Abschaltstrom max.

0.2mA

Länge

10.28mm

Breite

4.82mm

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Abmessungen

10.28 x 4.82 x 9.28mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

9.28mm

Ursprungsland:
VN

PNP-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor


Normen

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Der on Semiconductor TIP127G ist ein 5 A, 100 V PNP Darlington-Bipolartransistor. Er wurde für den Einsatz als Ausgabegerät für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt.
Der TIP127G wird in einem durchkontaktierten TO-220AB-Kunststoffgehäuse geliefert.

• Hohe Gleichstromverstärkung
• Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Kompaktes Gehäuse
• PNP-Polarität

Lieferbare Versionen:
545-2361 - einfach
124-5436 - Rohr mit 50 Stück

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