STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 100 V 10 A HFE:500, TO-247 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 486-0294
- Herst. Teile-Nr.:
- TIP142
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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| 5 - 5 | € 2,412 | € 12,06 |
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| 100 - 245 | € 1,598 | € 7,99 |
| 250 - 495 | € 1,534 | € 7,67 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 486-0294
- Herst. Teile-Nr.:
- TIP142
- Hersteller:
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Transistor-Typ | NPN | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 10 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 100 V | |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gleichstromverstärkung min. | 500 | |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 100 V | |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 3 V | |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 1mA | |
| Länge | 15.75mm | |
| Breite | 5.15mm | |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C | |
| Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Transistor-Typ NPN | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 10 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 100 V | ||
Basis-Emitter Spannung max. 5 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gleichstromverstärkung min. 500 | ||
Kollektor-Basis-Spannung max. 100 V | ||
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. 3 V | ||
Kollektor-Abschaltstrom max. 1mA | ||
Länge 15.75mm | ||
Breite 5.15mm | ||
Betriebstemperatur min. -65 °C | ||
Abmessungen 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
Höhe 20.15mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
NPN-Darlington-Transistoren, STMicroelectronics
Bipolare Transistoren, STMicroelectronics
Eine breite Palette an bipolaren NPN- und PNP-Transistoren von STMicroelectronics, einschließlich Universal-, Darlington-, Leistungs- und Hochspannungs-Bauelementen in SMD- und durchkontaktierten Gehäusen.
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