STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 1200 V 100 mA HFE:230 @ 20 mA @ 10 V, TO-220 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 168-8883
Herst. Teile-Nr.:: STP03D200
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 1200 V 100 mA HFE:230 @ 20 mA @ 10 V, TO-220 3-Pin Einfach

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RS Best.-Nr.:: 168-8883
Herst. Teile-Nr.:: STP03D200
Hersteller:: STMicroelectronics

STP03D200, 2kV NPN Darlington Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
Basis-Emitter Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	230 @ 20 mA @ 10 V
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	2 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	2000 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	2 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	100µA
Höhe	15.75mm
Breite	4.6mm
Länge	10.4mm
Abmessungen	10.4 x 4.6 x 15.75mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Verlustleistung max.	40 W

STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 1200 V 100 mA HFE:230 @ 20 mA @ 10 V, TO-220 3-Pin Einfach

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NPN-Darlington-Transistoren, STMicroelectronics

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