onsemi Darlington-Transistor 7 50 V 500 mA NPN HFE:1000, SOIC 16-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 162-9683
- Herst. Teile-Nr.:
- ULQ2003ADR2G
- Hersteller:
- onsemi
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- ULQ2003ADR2G
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- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Darlington-Transistor | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 500mA | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 50V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 7 | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 1000 | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 10mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Serie | ULQ2003A | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Darlington-Transistor | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 500mA | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 50V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 7 | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 1000 | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 10mm | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Serie ULQ2003A | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Standards
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
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