Toshiba PNP Darlington-Transistor 100 V 7 A HFE:1000, TO-220SIS 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 144-5248
- Herst. Teile-Nr.:
- TTD1415B,S4X(S
- Hersteller:
- Toshiba
40 lieferbar innerhalb von 5 Werktag(en) (Mo-Fr).
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (in Packung zu 10)
€ 0,556
(ohne MwSt.)
€ 0,667
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 10 - 20 | € 0,556 | € 5,56 |
| 30 + | € 0,491 | € 4,91 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 144-5248
- Herst. Teile-Nr.:
- TTD1415B,S4X(S
- Hersteller:
- Toshiba
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Informationen zur Produktgruppe
NPN-Darlington-Transistoren, Toshiba
Bipolare Transistoren, Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 7 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 100 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 6 V |
| Gehäusegröße | TO-220SIS |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Konfiguration | Single |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Gleichstromverstärkung min. | 1000 |
| Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. | 2 V |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 120 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 2 V |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 2µA |
| Abmessungen | 10 x 4.5 x 15mm |
| Länge | 100mm |
| Basisstrom | 0.7A |
| Verlustleistung max. | 25 W bei 25 °C |
| Breite | 4.5mm |
| Höhe | 15mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 144-5248
- Herst. Teile-Nr.:
- TTD1415B,S4X(S
- Hersteller:
- Toshiba