onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 1 A HFE:1000, SOT-223 3 + Tab-Pin Einfach

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RS Best.-Nr.:
463-117P
Herst. Teile-Nr.:
BSP52T1G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Transistor-Typ

NPN

Dauer-Kollektorstrom max.

1 A

Kollektor-Emitter-Spannung

80 V

Basis-Emitter Spannung max.

5 V

Gehäusegröße

SOT-223

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3 + Tab

Transistor-Konfiguration

Einfach

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gleichstromverstärkung min.

1000

Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.

1,9 V

Kollektor-Basis-Spannung max.

90 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.

1,3 V

Höhe

1.57mm

Abmessungen

6.5 x 3.5 x 1.57mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.5mm

Breite

3.5mm

Betriebstemperatur min.

-65 °C

RoHS Status: Ausgenommen

NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor


Normen

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.