onsemi FDG6304P SMD Digitaler Transistor Dual, SC-70 6-Pin

Diese zwei P-Kanal-P-Kanal-DMOS-Feldeffekttransistoren werden mit einer proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist speziell darauf zugeschnitten, den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren. Dieses Gerät wurde speziell für Niederspannungsanwendungen als Ersatz für bipolare digitale Transistoren und Kleinsignal-MOSFETS entwickelt.

-25 V, -0,41 A kontinuierlich, -1,5 A Peak.
RDS(ON) = 1,1 Ω @ VGS= -4,5 V,
RDS(ON) = 1,5 Ω @ VGS= -2,7 V.
Sehr niedrige Anforderungen an den Gatterantrieb ermöglichen den direkten Betrieb in 3-V-Stromkreisen (VGS(th)< 1,5 V).
Gate-Source Zener für ESD-Robustheit (>6kV Human Body Modell).
Kompaktes SC70-6-SMD-Gehäuse nach Industriestandard.
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.