Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 SMD, NPN HF-Transistor 2,25 V / 35 mA 85 GHz, TSFP 4-Pin

Der BFP840FESD ist ein leistungsstarker HBT (Heterojunction Bipolar Transistor), speziell für 5–6 GHz-Wi-Fi-Anwendungen. Das Gerät basiert auf der zuverlässigen, hochvolumigen SiGe:C-Technologie von Infineon. Der BFP840FESD bietet von Natur aus gute Eingangs- und Ausgangsleistungsanpassung sowie gute Rauschanpassung bei 5–6 GHz. Die gleichzeitige Rausch- und Leistungsanpassung ohne verlustbehaftete, extern angepasste Komponenten am Eingang führt zu einer geringen Anzahl an externen Bauteilen, zu einem sehr guten Rauschpegel und zu einer sehr hohen Wandlerverstärkung der WiFi-Anwendung.

Robuster, rauscharmer Hochleistungs-Verstärker basierend auf der zuverlässigen, großvolumigen SiGe:C-Wafer-Technologie von Infineon2 kV ESD-Festigkeit (HBM) durch integrierte SchutzschaltungenHohe maximale HF-Eingangsspannung von 21 dBm0,6 dB minimale Rauschentwicklung26 dB maximale Verstärkung23,5 dBm OIP3 (typisch) bei 5,5 GHz, 25 mAPräzises SPICE GP Modell erhältlich, um ein effektives Design im Prozess zu ermöglichen