onsemi Durchsteckmontage Transistor NPN 160 V / 600 mA, TO-92 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 166-3209
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N5551TF
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
€ 112,00
(ohne MwSt.)
€ 134,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 4 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | € 0,056 | € 112,00 |
| 4000 - 8000 | € 0,053 | € 106,00 |
| 10000 - 18000 | € 0,05 | € 100,00 |
| 20000 + | € 0,047 | € 94,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-3209
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N5551TF
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Kollektorstrom DC max. Idc | 600mA | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 160V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 180V | |
| Maximale Übergangsfrequenz Ft | 100MHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625mW | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 80 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | 2N5551 | |
| Länge | 5.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 18.33mm | |
| Breite | 4.19 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Kollektorstrom DC max. Idc 600mA | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 160V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 180V | ||
Maximale Übergangsfrequenz Ft 100MHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625mW | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 80 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie 2N5551 | ||
Länge 5.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 18.33mm | ||
Breite 4.19 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kleinsignal-NPN-Transistoren, über 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolare Transistoren, Fairchild Semiconductor
Eine breite Palette an bipolaren Junction-Transistoren (BJT) bietet komplette Lösungen für verschiedene Stromkreisanwendungsanforderungen. Innovative Gehäuse bieten minimale Größe, höchste Zuverlässigkeit und maximale Wärmeleistung.