Transistor BC546BTF NPN 65 V 100 mA 1 MHz, HFE:110, TO-92 3-Pin Einfach

Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Ursprungsland: CN
Informationen zur Produktgruppe

Kleinsignal-NPN-Transistoren, 60 V bis 100 V, Fairchild Semiconductor

Bipolare Transistoren, Fairchild Semiconductor

Eine breite Palette an bipolaren Junction-Transistoren (BJT) bietet komplette Lösungen für verschiedene Stromkreisanwendungsanforderungen. Innovative Gehäuse bieten minimale Größe, höchste Zuverlässigkeit und maximale Wärmeleistung.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Transistor-Typ NPN
DC Kollektorstrom max. 100 mA
Kollektor-Emitter- 65 V
Gehäusegröße TO-92
Montage-Typ Durchsteckmontage
Verlustleistung max. 500 mW
Gleichstromverstärkung min. 110
Transistor-Konfiguration Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. 80 V
Basis-Emitter Spannung max. 6 V
Arbeitsfrequenz max. 1 MHz
Pinanzahl 3
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. 900 mV
Breite 3.86mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 4.58mm
Abmessungen 4.58 x 3.86 x 4.58mm
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. 600 mV
Höhe 4.58mm
2000 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro 1 Stück (auf Rolle zu 2000)
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