onsemi MJD50T4G SMD, NPN Transistor 400 V / 1 A 10 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin

RS Best.-Nr.:: 163-2501
Herst. Teile-Nr.:: MJD50T4G
Hersteller:: onsemi

onsemi MJD50T4G SMD, NPN Transistor 400 V / 1 A 10 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin

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RS Best.-Nr.:: 163-2501
Herst. Teile-Nr.:: MJD50T4G
Hersteller:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
DC Kollektorstrom max.	1 A
Kollektor-Emitter-Spannung	400 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Verlustleistung max.	1,56 W
Gleichstromverstärkung min.	30
Transistor-Konfiguration	Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.	500 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Arbeitsfrequenz max.	10 MHz
Pinanzahl	3
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Abmessungen	2.38 x 6.73 x 6.22mm

onsemi MJD50T4G SMD, NPN Transistor 400 V / 1 A 10 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin

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