MOSFET

MOSFETs, auch MOSFET-Transistoren, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Regelung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. MOSFETs funktionieren ähnlich wie ein Schalter und werden zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich. Für weitere Informationen über MOSFETs siehe unsere vollständige Anleitung zu MOSFETs.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungstyp?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs sind wie ein variabler Widerstand und im Allgemeinen beliebter als Verarmungstyp-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Quelle. Leistungs-MOSFETs sind wie Standard-MOSFETs, aber für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

N-Kanal- im Vergleich mit P-Kanal-MOSFETs

N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.


...
Weiterlesen Weniger anzeigen

Filter

Anzeige 10481 - 10500 von 10913 Produkten
Produkte pro Seite
Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gehäusegröße Gate-Schwellenspannung max. Montage-Typ Gate-Schwellenspannung min. Pinanzahl Gate-Source Spannung max. Channel-Modus Verlustleistung max. Transistor-Konfiguration Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 146-4396
Herst. Teile-Nr.IXFN110N85X
MarkeIXYS
€ 38,17
1 Stück
Stück
N 110 A 850 V 33 mΩ SOT227 5.5V SMD 3.5V 4 ±30 V Enhancement 1,17 kW Einfach 1
RS Best.-Nr. 818-1371
Herst. Teile-Nr.SI6954ADQ-T1-GE3
MarkeVishay
€ 0,536
1 Stück (in Packung zu 20)
Stück
N 3,1 A 30 V 75 mΩ TSSOP - SMD 1V 8 -20 V, +20 V Enhancement 830 mW Isoliert 2
RS Best.-Nr. 192-3378
Herst. Teile-Nr.C3M0120090J
MarkeWolfspeed
€ 5,448
1 Stück (in Stange zu 50)
Stück
N 22 A 900 V 120 mΩ TO-263 3.5V SMD 1.8V 7 –8 V, 18 V Enhancement 83 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 110-7152
Herst. Teile-Nr.IPD90N04S404ATMA1
MarkeInfineon
€ 0,676
1 Stück (in Packung zu 20)
Stück
N 90 A 40 V 4,1 mΩ DPAK (TO-252) 4V SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 71 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 188-4951
Herst. Teile-Nr.SIS862ADN-T1-GE3
MarkeVishay
€ 0,651
1 Stück (in Packung zu 25)
Stück
N 52 A 60 V 11 mΩ PowerPAK 1212 2.5V SMD 1V 8 ±20 V Enhancement 39 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 178-3693
Herst. Teile-Nr.SiS110DN-T1-GE3
€ 0,176
1 Stück (auf Rolle zu 3000)
Stück
N 14,2 A 100 V 70 mΩ 1212 2V SMD 4V 8 ±20 V Enhancement 24 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 759-9030
Herst. Teile-Nr.FDC602P
€ 0,297
1 Stück (in Packung zu 10)
Stück
P 5,5 A 20 V 53 mΩ SOT-23 - SMD 0.6V 6 -12 V, +12 V Enhancement 1,6 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 687-5273
Herst. Teile-Nr.STP10NK80ZFP
€ 3,025
1 Stück (in Packung zu 2)
Stück
N 9 A 800 V 900 mΩ TO-220FP 4.5V Durchsteckmontage 3V 3 -30 V, +30 V Enhancement 40 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-2816
Herst. Teile-Nr.DN2625K4-G
MarkeMicrochip
€ 0,798
1 Stück (auf Rolle zu 2000)
Stück
N 1,1 A 250 V 3,5 Ω TO-252 - SMD - 4 20 V Depletion - Einfach 2
RS Best.-Nr. 739-6317
Herst. Teile-Nr.FDMC86240
€ 1,72
1 Stück
Stück
N 19 A 150 V 97 mΩ MLP - SMD 2V 8 -20 V, +20 V Enhancement 40 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 202-5544
Herst. Teile-Nr.STW70N60DM6-4
€ 8,106
1 Stück (in Stange zu 30)
Stück
N 62 A 600 V 0,036 Ω To247-4 4.75V - - 4 - Depletion - - 1
RS Best.-Nr. 751-4253
Herst. Teile-Nr.DMP2240UDM-7
€ 0,096
1 Stück (in Packung zu 25)
Stück
P 2 A 20 V 240 mΩ SOT-26 1V SMD - 6 -12 V, +12 V Enhancement 600 mW Isoliert 2
RS Best.-Nr. 896-2363
Herst. Teile-Nr.TK39J60W5,S1VQ(O
MarkeToshiba
€ 6,23
1 Stück
Stück
N 39 A 600 V 74 mΩ TO-3PN 3.7V Durchsteckmontage - 3 -30 V, +30 V Enhancement 270 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 122-3250
Herst. Teile-Nr.DMN601DMK-7
€ 0,12
1 Stück (auf Rolle zu 3000)
Stück
N 580 mA 60 V 4 Ω SOT-26 2.5V SMD - 6 -20 V, +20 V Enhancement 980 mW Isoliert 2
RS Best.-Nr. 145-1621
Herst. Teile-Nr.IRFU110PBF
MarkeVishay
€ 0,647
1 Stück (in Stange zu 75)
Stück
N 4,3 A 100 V 540 mΩ IPAK (TO-251) - Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 25 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 166-2654
Herst. Teile-Nr.NDS9948
€ 0,256
1 Stück (auf Rolle zu 2500)
Stück
P 2,3 A 60 V 500 mΩ SOIC - SMD 1V 8 -20 V, +20 V Enhancement 2 W Isoliert 2
RS Best.-Nr. 754-5421
Herst. Teile-Nr.IPB025N10N3GATMA1
MarkeInfineon
€ 5,32
1 Stück
Stück
N 180 A 100 V 4,4 mΩ D2PAK (TO-263) 3.5V SMD 2V 7 -20 V, +20 V Enhancement 300 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 826-9471
Herst. Teile-Nr.IPP057N08N3GXKSA1
MarkeInfineon
€ 1,332
1 Stück (in Packung zu 10)
Stück
N 80 A 80 V 5,4 mΩ TO-220 3.5V Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 150 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 414-226
Herst. Teile-Nr.STP19NF20
€ 0,838
1 Stück (in Packung zu 10)
Stück
N 15 A 200 V 160 mΩ TO-220 4V Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 90 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 122-2417
Herst. Teile-Nr.ZVN4206AVSTZ
€ 0,241
1 Stück (auf Gurt zu 2000)
Stück
N 600 mA 60 V 1,5 Ω TO-92 3V Durchsteckmontage - 3 -20 V, +20 V Enhancement 700 mW Einfach 1