- RS Best.-Nr.:
- 806-1757
- Herst. Teile-Nr.:
- J112
- Hersteller:
- onsemi
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- J112
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- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-JFET, Fairchild Semiconductor
JFET-Transistoren
Eine Serie von diskreten JFET- und HEMT/HFET-Halbleitern.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
IDS Drain-Source-Abschaltstrom | min. 5mA |
Gate-Source Spannung max. | -35 V |
Drain-Gate-Spannung max. | 35V |
Konfiguration | Single |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Drain-Source-Widerstand max. | 50 Ω |
Montage-Typ | THT |
Gehäusegröße | TO-92 |
Pinanzahl | 3 |
Drain Gate Kapazität | 28pF |
Source Gate Kapazität | 28pF |
Abmessungen | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
Breite | 4.19mm |
Höhe | 5.33mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Länge | 5.2mm |