STMicroelectronics STH200 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 340 W, 3-Pin H2PAK-2
- RS Best.-Nr.:
- 234-8896P
- Herst. Teile-Nr.:
- STH200N10WF7-2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 99 | € 5,56 |
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- Herst. Teile-Nr.:
- STH200N10WF7-2
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | STH200 | |
| Gehäusegröße | H2PAK-2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 93nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 340W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie STH200 | ||
Gehäusegröße H2PAK-2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 93nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 340W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics nutzt die STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur, die die Beständigkeit im linearen Modus erhöht und einen breiteren SOA in Kombination mit einem sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bietet. Der resultierende MOSFET sorgt für den besten Kompromiss zwischen Linearmodus und Schaltvorgängen.
Klassenbeste SOA-Fähigkeit
Hohe Stromstoßfestigkeit
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand