onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:100, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 463-189
Herst. Teile-Nr.:: MJD122T4G
Hersteller:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:100, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

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Herst. Teile-Nr.:: MJD122T4G
Hersteller:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	8 A
Kollektor-Emitter-Spannung	100 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	100
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	4,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	4 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	0.01mA
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	6.73mm
Abmessungen	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Betriebstemperatur min.	-65 °C
Breite	6.22mm
Höhe	2.38mm

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