NPN Emmitter geschaltet FJPF2145TU 0.209V 5 A, TO-220F 3-Pin

Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Ursprungsland: KR
Informationen zur Produktgruppe

ESBC™-Leistungstransistor, Fairchild Semiconductor

Bipolare NPN-Leistungstransistoren, die für den Einsatz in ESBC™-Konfigurationen (Emittergeschaltete bipolare/MOSFET-Kaskode) zusammen mit geeigneten Leistungs-MOSFET-Geräten entwickelt wurden. Diese Netzschalterkonfiguration bietet erhöhte Effizienz, Flexibilität und Widerstandsfähigkeit und der Antrieb wird aufgrund des Fehlens der Miller-Kapazität im Design minimiert.

Bipolare Transistoren, Fairchild Semiconductor

Eine breite Palette an bipolaren Junction-Transistoren (BJT) bietet komplette Lösungen für verschiedene Stromkreisanwendungsanforderungen. Innovative Gehäuse bieten minimale Größe, höchste Zuverlässigkeit und maximale Wärmeleistung.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Transistor-Typ NPN
DC Kollektorstrom max. 5 A
Kollektor-Source-Spannung max. 0.209V
Verlustleistung max. 40 W
Gleichstromverstärkung min. 8
Montage-Typ Durchsteckmontage
Gehäusegröße TO-220F
Pinanzahl 3
Basis-Source-Spannung max. ±20V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Basisstrom max. 1.5A
Kategorie Leistungs-Transistor
Abmessungen 10.36 x 4.9 x 16.07mm
Höhe 16.07mm
Breite 4.9mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Länge 10.36mm
Betriebstemperatur max. +125 °C
400 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro 1 Stück (in Stange zu 50)
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