STMicroelectronics TVS-Diode Uni-Directional Array 13.2V 6.9V min., 2-Pin, SMD 6.3V max QFN
- RS Best.-Nr.:
- 163-9781
- Herst. Teile-Nr.:
- ESDA8P80-1U1M
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- ESDA8P80-1U1M
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Überspannungsschutzgeräte für Netzleitungen von ST unterstützen Anwendungen wie Satellitenboxen (LNB), Hochleistungs-DC/DC-Wandler und Telekom-Stromschienen. Die ITA-Serie wurde für industrielle Anwendungen optimiert, SLVU und PEP01 für Ethernet oder PoE und die STIEC45-Serie für DC-Stromschienen
Stoßstrombelastbarkeit bis 500 AMit breitem Gehäuse, einschließlich mehrzeilige Hochleistungs-GerätegehäuseGeräte wurden zur Unterstützung von spezifischen Anwendungen optimiert
ESDA8P80-1U1M ist eine unidirektionale, einphasige TVS-Diode, die dem Schutz der Netzleitung vor EOS- und ESD-Transienten dient. Das Gerät ist ideal für Anwendungen geeignet, bei denen Hochleistungs-TVS und Platzersparnis auf der Platine erforderlich sind.
Niedrige KlemmspannungTypische Spitzenimpulsleistung:1100 W (8/20 μs)Stand-off-Spannung 6,3 VUnidirektionale DiodeGeringer Leckstrom:0,2 μA bei 25 °C
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Diodenkonfiguration | Array |
| Direction Typ | Uni-Directional |
| Klemmenspannung max. | 13.2V |
| Durchschlagspannung min. | 6.9V |
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | QFN |
| Stand-Off Sperrspannung max. | 6.3V |
| Pinanzahl | 2 |
| Höchstzulässige Pulsverlustleistung | 1100W |
| Impulsspitzen-Strom max. | 80A |
| ESD Schutz | Ja |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 1.7 x 1.1 x 0.55mm |
| Rest-Sperrstrom max. | 200nA |
| Breite | 1.1mm |
| Länge | 1.7mm |
| Höhe | 0.55mm |
| Prüfstrom | 1mA |
- RS Best.-Nr.:
- 163-9781
- Herst. Teile-Nr.:
- ESDA8P80-1U1M
- Hersteller:
- STMicroelectronics