onsemi FET-Kanal ESD-Schutz 2 Kanäle/Chip 7.5Ω, Max. ±10 V, WDFN 6-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 922-9569
- Herst. Teile-Nr.:
- NIS1161MTTAG
- Hersteller:
- ON Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 922-9569
- Herst. Teile-Nr.:
- NIS1161MTTAG
- Hersteller:
- ON Semiconductor
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
NIV/NIS1161, ESD-Schutz mit Kurzschluss-an-Batterie-Blockierung für Kfz-Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen
Das NIV/NIS1161 schützt Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen vor ESD (elektrostatischer Entladung) und Kurzschluss an die Fahrzeugbatterie. Die extrem niedrige Kapazität ist ideal für den Schutz spannungsempfindlicher Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen.
Überspannungsableiter, ON Halbleiter
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 2 |
| Widerstand im eingeschalteten Zustand | 7.5Ω |
| Arbeitsspannnungs-Bereich | Max. ±10 V |
| Gehäusegröße | WDFN |
| Pinanzahl | 6 |
| Montage-Typ | SMD |
| Abmessungen | 2 x 2 x 0.75mm |
| Länge | 2mm |
| Breite | 2mm |
| Höhe | 0.75mm |
| Arbeitsspannnung max. | ±10 V |
| Betriebstemperatur-Bereich | –55 → +150 °C |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 922-9569
- Herst. Teile-Nr.:
- NIS1161MTTAG
- Hersteller:
- ON Semiconductor