Winbond DDR-SDRAM-Chip 1Gbit 64 M x 16 bit DDR DDR 64 M Bits/Wort 6.5ns VFBGA 60-Pin

Dies ist ein 1 GB DDR SDRAM mit geringem Stromverbrauch als 16 M Wörter x 4 Datenbanken x 16 Bit organisiert

Stromversorgung VDD = 1,7 V∼1,95 V, VDDQ = 1,7 V∼1,95 V
Datenbandbreite: x16
Burst-Typ: sequenziell oder Interleave, Taktfrequenz: 166 MHz, 200 MHz
Refresh-Modus serienmäßig
PASR, ATCSR, Abschaltmodus, DPD
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
CAS-Latenz: 2 und 3
Burst-Länge: 2, 4, 8 und 16
Betriebstemperaturbereich: Erweitert (-25 °C ∼ 85 °C), Industrieausführung (-40 °C ∼ 85 °C)
Bidirektional, die Datenvalidierung (DQS) wird mit Daten gesendet bzw. empfangen, um Daten am Empfänger zu erfassen