CoolMOS CE IPU80R2K8CEBKMA1 N-Kanal MOSFET, 800 V / 1,9 A, 42 W, TO-251 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 857-7104
  • Herst. Teile-Nr. IPU80R2K8CEBKMA1
  • Hersteller Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Informationen zur Produktgruppe

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 1,9 A
Drain-Source-Spannung max. 800 V
Drain-Source-Widerstand max. 2,8 Ω
Gate-Schwellenspannung max. 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
Gehäusegröße TO-251
Montage-Typ Durchsteckmontage
Transistor-Konfiguration Einfach
Pinanzahl 3
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 42 W
Länge 6.73mm
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 12 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Serie CoolMOS CE
Höhe 6.22mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 2.41mm
Nicht mehr im Sortiment