N-Kanal MOSFET IPU80R2K8CEBKMA1, 800 V, 1,9 A, 2,8 Ω, TO-251 3-Pin, 42 W, Serie CoolMOS CE Si

  • RS Best.-Nr. 857-7104
  • Herst. Teile-Nr. IPU80R2K8CEBKMA1
  • Hersteller Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Informationen zur Produktgruppe

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 1,9 A
Drain-Source-Spannung max. 800 V
Drain-Source-Widerstand max. 2,8 Ω
Gate-Schwellenspannung max. 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
Gehäusegröße TO-251
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Kategorie Leistungs-MOSFET
Verlustleistung max. 42 W
Gate-Ladung typ. @ Vgs 12 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. -55 °C
Ausschaltverzögerungszeit 72 ns
Einschaltverzögerungszeit 25 ns
Eingangskapazität typ. @ Vds 290 pF @ 100 V
Transistor-Werkstoff Si
Breite 2.41mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Abmessungen 6.73 x 2.41 x 6.22mm
Serie CoolMOS CE
Höhe 6.22mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 6.73mm
Nicht mehr im Sortiment