- RS Best.-Nr.:
- 194-9096
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14V101QS-SF108XI
- Hersteller:
- Infineon
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- 194-9096
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14V101QS-SF108XI
- Hersteller:
- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Informationen zur Produktgruppe
Der Cypress CY14V101QS kombiniert einen 1-Mbit-NVSRAM mit einer QPI-Schnittstelle. Der QPI ermöglicht das Schreiben und Lesen des Speichers entweder in einem einzigen (ein E/A-Kanal für ein Bit pro Taktzyklus), zwei (zwei E/A-Kanäle für zwei Bits pro Taktzyklus) oder vierfach (vier E/A-Kanäle für vier Bits pro Taktzyklus) durch die Verwendung ausgewählter Opcodes. Der Speicher ist als 128 KB organisiert, die jeweils aus SRAM- und nicht flüchtigen SONOS Quantum-Trap-Zellen bestehen. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die nichtflüchtigen Zellen eine äußerst zuverlässige Speicherung von Daten bieten. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Zellen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus den nicht flüchtigen Zellen (RECALL-Betrieb) im SRAM wiederhergestellt. Sie können die STORE- und RECALL-Vorgänge auch über SPI-Anweisungen initiieren.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 1MBit |
Organisation | 128K x 8 bit |
Datenbus-Breite | 8bit |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOIC |
Pinanzahl | 16 |
Abmessungen | 10.49 x 7.59 x 2.36mm |
Länge | 10.49mm |
Breite | 7.59mm |
Höhe | 2.36mm |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Arbeitsspannnung min. | 2,7 V |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Anzahl der Wörter | 128K |
- RS Best.-Nr.:
- 194-9096
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14V101QS-SF108XI
- Hersteller:
- Infineon