Cypress Semiconductor NVRAM 256kbit 32K x 8 bit Parallel 45ns SMD, TSOP 44-Pin 18.51 x 10.26 x 1.04mm
- RS Best.-Nr.:
- 194-9092
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B256LA-ZS25XI
- Hersteller:
- Cypress Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 194-9092
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B256LA-ZS25XI
- Hersteller:
- Cypress Semiconductor
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
Der Cypress CY14B256LA ist ein schneller statischer RAM mit einem nicht flüchtigen Element in jeder Speicherzelle. Der Speicher ist in 32 KB mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente verfügen über die Quantum Trap Technologie und erzeugen einen zuverlässigen, nicht flüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während unabhängige nichtflüchtige Daten in der äußerst zuverlässigen Quantum Trap Zelle gespeichert sind. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher im SRAM (dem RECALL-Vorgang) wiederhergestellt. Sowohl der STORE- als auch der RECALL-Betrieb sind ebenfalls per Software steuerbar.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 256kbit |
Organisation | 32K x 8 bit |
Interface-Typ | Parallel |
Datenbus-Breite | 8bit |
Zugriffszeit max. | 45ns |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | TSOP |
Pinanzahl | 44 |
Abmessungen | 18.51 x 10.26 x 1.04mm |
Länge | 18.51mm |
Breite | 10.26mm |
Höhe | 1.04mm |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Arbeitsspannnung min. | 2,7 V |
Anzahl der Wörter | 32K |