Cypress Semiconductor NVRAM 256kbit 32K x 8 bit Parallel 45ns SMD, TSOP 44-Pin 18.51 x 10.26 x 1.04mm
- RS Best.-Nr.:
- 194-9091
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B256LA-ZS25XI
- Hersteller:
- Cypress Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 194-9091
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B256LA-ZS25XI
- Hersteller:
- Cypress Semiconductor
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der Cypress CY14B256LA ist ein schneller statischer RAM mit einem nicht flüchtigen Element in jeder Speicherzelle. Der Speicher ist in 32 KB mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente verfügen über die Quantum Trap Technologie und erzeugen einen zuverlässigen, nicht flüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während unabhängige nichtflüchtige Daten in der äußerst zuverlässigen Quantum Trap Zelle gespeichert sind. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher im SRAM (dem RECALL-Vorgang) wiederhergestellt. Sowohl der STORE- als auch der RECALL-Betrieb sind ebenfalls per Software steuerbar.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 256kbit |
Organisation | 32K x 8 bit |
Interface-Typ | Parallel |
Datenbus-Breite | 8bit |
Zugriffszeit max. | 45ns |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | TSOP |
Pinanzahl | 44 |
Abmessungen | 18.51 x 10.26 x 1.04mm |
Länge | 18.51mm |
Breite | 10.26mm |
Höhe | 1.04mm |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Anzahl der Wörter | 32K |
Arbeitsspannnung min. | 2,7 V |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |