- RS Best.-Nr.:
- 915-8833
- Herst. Teile-Nr.:
- C2M1000170J
- Hersteller:
- Wolfspeed
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Preis pro 1 Stück (in Packung zu 2)
€ 7,59
(ohne MwSt.)
€ 9,11
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
2 - 8 | € 7,59 | € 15,18 |
10 - 18 | € 7,12 | € 14,24 |
20 - 48 | € 6,95 | € 13,90 |
50 - 98 | € 6,765 | € 13,53 |
100 + | € 6,57 | € 13,14 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 915-8833
- Herst. Teile-Nr.:
- C2M1000170J
- Hersteller:
- Wolfspeed
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.
Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
Latch-Up-resistenter Betrieb
Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
Latch-Up-resistenter Betrieb
MOSFET-Transistoren, Wolfspeed
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 5,3 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1700 V |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 7 |
Drain-Source-Widerstand max. | 1,4 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 78 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –10 V, +25 V |
Transistor-Werkstoff | SiC |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 10.23mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 20 V |
Breite | 10.99mm |
Diodendurchschlagsspannung | 3.8V |
Höhe | 4.57mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |