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Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
€ 14,34
(ohne MwSt.)
€ 17,20
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,717 | € 14,34 |
| 100 - 180 | € 0,681 | € 13,62 |
| 200 - 480 | € 0,653 | € 13,06 |
| 500 - 980 | € 0,624 | € 12,48 |
| 1000 + | € 0,581 | € 11,62 |
*Richtpreis
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Serie | HEXFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 60 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 68 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 5 V | |
| Länge | 10.67mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 11.3mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 30 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Serie HEXFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 60 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 68 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 25 nC @ 5 V | ||
Länge 10.67mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 11.3mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
