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  3. MOSFET

HEXFET IRLML0060TRPBF N-Kanal MOSFET, 60 V / 2,7 A, 1,25 W, SOT-23 3-Pin


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RS Best.-Nr.:
913-4048
Herst. Teile-Nr.:
IRLML0060TRPBF
Hersteller:
Infineon
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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon



EigenschaftWert
Channel-TypN
Dauer-Drainstrom max.2,7 A
Drain-Source-Spannung max.60 V
GehäusegrößeSOT-23
Montage-TypSMD
Pinanzahl3
Drain-Source-Widerstand max.92 mΩ
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung max.2.5V
Gate-Schwellenspannung min.1V
Verlustleistung max.1,25 W
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.–16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
SerieHEXFET
Betriebstemperatur min.–55 °C
Transistor-WerkstoffSi
Breite1.4mm
Höhe1.02mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs2,5 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur max.+150 °C
Länge3.04mm

02852/505
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