Infineon HEXFET IRLML0060TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,7 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 913-4048
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML0060TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,7 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Serie | HEXFET |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 92 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 1,25 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V |
| Breite | 1.4mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 3.04mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,5 nC @ 4,5 V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.02mm |
- RS Best.-Nr.:
- 913-4048
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML0060TRPBF
- Hersteller:
- Infineon