Infineon OptiMOS 3 IPP111N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 214 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 897-7412
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP111N15N3GXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPP111N15N3GXKSA1
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 83 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 11,3 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 214 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Länge | 10.36mm |
| Breite | 4.57mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Serie | OptiMOS 3 |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 15.95mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |