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Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 8,77
(ohne MwSt.)
€ 10,524
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 4,385 | € 8,77 |
| 20 - 98 | € 3,65 | € 7,30 |
| 100 - 198 | € 3,16 | € 6,32 |
| 200 - 498 | € 3,01 | € 6,02 |
| 500 + | € 2,695 | € 5,39 |
*Richtpreis
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 120 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS™ 3 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,1 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 158 nC | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 120 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 120 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS™ 3 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4,1 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 158 nC | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 15.95mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
