- RS Best.-Nr.:
- 896-2401
- Herst. Teile-Nr.:
- TK58A06N1,S4X(S
- Hersteller:
- Toshiba
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- 896-2401
- Herst. Teile-Nr.:
- TK58A06N1,S4X(S
- Hersteller:
- Toshiba
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 58 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Serie | TK |
Gehäusegröße | TO-220SIS |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 5,4 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Verlustleistung max. | 35 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
Länge | 10mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 4.5mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Höhe | 15mm |
- RS Best.-Nr.:
- 896-2401
- Herst. Teile-Nr.:
- TK58A06N1,S4X(S
- Hersteller:
- Toshiba