- RS Best.-Nr.:
- 896-2363
- Herst. Teile-Nr.:
- TK39J60W5,S1VQ(O
- Hersteller:
- Toshiba
- RS Best.-Nr.:
- 896-2363
- Herst. Teile-Nr.:
- TK39J60W5,S1VQ(O
- Hersteller:
- Toshiba
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Informationen zur Produktgruppe
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 39 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Gehäusegröße | TO-3PN |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 74 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.7V |
Verlustleistung max. | 270 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 15.5mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
Breite | 4.5mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Serie | TK |
Höhe | 20mm |