Infineon OptiMOS P P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A 500 mW, 6-Pin TSOP-6

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RS Best.-Nr.:
892-2172
Herst. Teile-Nr.:
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

2 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

OptiMOS P

Gehäusegröße

TSOP-6

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

130 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

500 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

2.9mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

5 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

1.6mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

1mm

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P


Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.

Enhancement-Modus
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform
Standardgehäuse
P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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