MagnaChip MDD1903RH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 12,8 A 36,8 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 871-4909
- Herst. Teile-Nr.:
- MDD1903RH
- Hersteller:
- MagnaChip
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 871-4909
- Herst. Teile-Nr.:
- MDD1903RH
- Hersteller:
- MagnaChip
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
Niederspannungs-MOSFET (LV)
Diese Niederspannungs-MOSFETs (LV) bieten niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltleistung.
MOSFET-Transistoren, MagnaChip
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 12,8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 110 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
| Verlustleistung max. | 36,8 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 6.22mm |
| Länge | 6.73mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,8 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 2.39mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 871-4909
- Herst. Teile-Nr.:
- MDD1903RH
- Hersteller:
- MagnaChip