STMicroelectronics DeepGate, STripFET STP240N10F7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 300 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 860-7567
- Herst. Teile-Nr.:
- STP240N10F7
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 110 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,2 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
| Verlustleistung max. | 300 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Länge | 10.4mm |
| Breite | 4.6mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 15.75mm |
| Serie | DeepGate, STripFET |