Microchip N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 300 mA 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 829-3360
Herst. Teile-Nr.:: DN3765K4-G
Hersteller:: Microchip

Microchip N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 300 mA 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: DN3765K4-G
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Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten des gezeigten Artikels

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	300 mA
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8 Ω
Channel-Modus	Depletion
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	6.2mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	6.73mm
Höhe	2.39mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

RS Best.-Nr.:: 829-3360
Herst. Teile-Nr.:: DN3765K4-G
Hersteller:: Microchip