Microchip LND150N8-G N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 30 mA 1,6 W, 4-Pin TO-243AA

RS Best.-Nr.:: 829-3253P
Herst. Teile-Nr.:: LND150N8-G
Hersteller:: Microchip

Microchip LND150N8-G N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 30 mA 1,6 W, 4-Pin TO-243AA

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Informationen zur Produktgruppe

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten des gezeigten Artikels

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 mA
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	TO-243AA
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	1 kΩ
Channel-Modus	Depletion
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Verlustleistung max.	1,6 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	2.6mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	4.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	1.6mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

RS Best.-Nr.:: 829-3253P
Herst. Teile-Nr.:: LND150N8-G
Hersteller:: Microchip