Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 48 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
827-4066
Herst. Teile-Nr.:
IRFR4105ZTRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

30 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

24,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

48 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

18 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Höhe

2.39mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 48W maximale Verlustleistung - IRFR4105ZTRPBF


Dieser MOSFET ist für hohe Effizienz und Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen ausgelegt. Er ist unverzichtbar für die Spannungsregelung und das Schalten und erfüllt mit seiner robusten Leistung die Anforderungen der Automatisierungs-, Elektronik- und Elektrotechnikbranche. Der niedrige On-Widerstand und die Fähigkeit, hohe kontinuierliche Drain-Ströme zu verarbeiten, ermöglichen den Einsatz des Bauelements in anspruchsvollen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 30 A sorgt für starke Leistung
• Arbeitet mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V für Hochspannungsanwendungen
• Niedriger RDS(on) von 24,5mΩ verbessert die Energieeffizienz
• Widersteht Temperaturschwankungen bis zu +175°C
• Die Enhancement-Mode-Technologie bietet einen zuverlässigen Schaltbetrieb
• DPAK TO-252-Gehäuse ermöglicht eine einfache Oberflächenmontage

Anwendungsbereich


• Energiemanagementsysteme für eine effektive Spannungsregelung
• Motortreiber und Leistungsumrichter in der Automatisierung
• Schaltnetzteile und Wechselrichter
• Unterhaltungselektronik, die eine effiziente Leistungssteuerung erfordert

Was ist die maximale Gate-Schwellenspannung?


Die maximale Gate-Schwellenspannung beträgt 4 V und ermöglicht eine optimale Gate-Steuerung bei Schaltanwendungen.

Kann es mit hohen Temperaturen umgehen?


Ja, dieser MOSFET arbeitet effizient bei Temperaturen von -55°C bis +175°C und eignet sich für anspruchsvolle Umgebungen.

Ist dieser MOSFET für die Oberflächenmontage geeignet?


Ja, er wird in einem DPAK TO-252-Gehäuse geliefert, das für eine einfache Oberflächenmontage ausgelegt ist.

Wie schneidet er im Vergleich zu anderen MOSFETs in Bezug auf die Verlustleistung ab?


Die maximale Verlustleistung beträgt 48 W, so dass auch große Lasten effektiv bewältigt werden können.

Welche Arten von Anwendungen sind am besten mit dieser Komponente kompatibel?


Es eignet sich besonders gut für Anwendungen, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern, z. B. Motorsteuerung, Stromrichter und elektrische Systeme in der Automatisierungstechnik.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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