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Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
€ 9,85
(ohne MwSt.)
€ 11,82
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,985 | € 9,85 |
| 50 - 90 | € 0,936 | € 9,36 |
| 100 - 240 | € 0,896 | € 8,96 |
| 250 - 490 | € 0,837 | € 8,37 |
| 500 + | € 0,788 | € 7,88 |
*Richtpreis
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 22 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 2,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| Breite | 4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7,3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 22 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 2,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 34 nC @ 10 V | ||
Breite 4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1.5mm | ||
