- RS Best.-Nr.:
- 826-9487
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB80P04P407ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 826-9487
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB80P04P407ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
Informationen zur Produktgruppe
P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P
Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.
Enhancement-Modus
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform
Standardgehäuse
P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform
Standardgehäuse
P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 80 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Serie | OptiMOS P |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 7,7 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 88 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 10mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
Breite | 9.25mm |
Höhe | 4.4mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |