- RS Best.-Nr.:
- 826-7548
- Herst. Teile-Nr.:
- R6015ANX
- Hersteller:
- ROHM
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- 826-7548
- Herst. Teile-Nr.:
- R6015ANX
- Hersteller:
- ROHM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 15 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Gehäusegröße | TO-220FM |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 300 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
Verlustleistung max. | 50 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Breite | 4.8mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
Länge | 10.3mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Höhe | 15.4mm |
- RS Best.-Nr.:
- 826-7548
- Herst. Teile-Nr.:
- R6015ANX
- Hersteller:
- ROHM