DiodesZetex DMN26D0UFB4-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 240 mA 350 mW, 3-Pin X2-DFN1006
- RS Best.-Nr.:
- 822-2560
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN26D0UFB4-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 822-2560
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN26D0UFB4-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 240 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | X2-DFN1006 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.05V |
| Verlustleistung max. | 350 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 1.05mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10,5 nC @ 5 V |
| Breite | 0.65mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 0.35mm |
- RS Best.-Nr.:
- 822-2560
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN26D0UFB4-7
- Hersteller:
- DiodesZetex